? Symbolic Circuit Analysis and Diagnosis

МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ
ЭЛЕКТРОНИКА И НАНОТЕХНОЛОГИИ (EL&NANO-2013)


16–19 апреля в Национальном Техническом Университете Украины «Киевском Политехническом Институте» состоялась очередная ежегодная международная научно-техническая конференция «Электроника и нанотехнологии». На протяжении последних трех десятилетий ведущий технический ВУЗ Украины в середине апреля собирает ученых со всех концов бывшего Советского Союза, ближнего и дальнего зарубежья для обсуждения новейших достижений в области создания нанотехнологий, разработки электронной аппаратуры, преобразования радиосигналов и т.д. Однако не только своим славным прошлым знаменательна прошедшая конференция. На этот раз её международный статус был подкреплен участием крупнейшего сообщества специалистов, работающих в области электротехники «Institute of Electrical and Electronics Engineers» (IEEE).

Институт инженеров по электротехнике и электронике (IEEE – I triple E – «Ай трипл и») – международная некоммерческая ассоциация специалистов в области техники, мировой лидер в области разработки стандартов по радиоэлектронике и электротехнике. Эта общественная некоммерческая ассоциация профессионалов появилась в 1963 году, в результате слияния Института радиотехников (Institute of Radio Engineers, IRE) созданном в 1912 году и Американского института инженеров-электриков (American Institute of Electrical Engineers, AIEE) созданном в 1884 году. IEEE объединяет более 400000 индивидуальных членов из 170 стран, в том числе более 100000 студентов, издаёт третью часть мировой технической литературы, касающейся применения радиоэлектроники, компьютеров, систем управления, электротехники, в том числе (январь 2011) 122 реферируемых научных журнала и 36 отраслевых журналов для специалистов, проводит в год более 300 крупных конференций, принимала участие в разработке около 900 действующих стандартов. Все издания IEEE индексируются в главных мировых реферативных базах научных публикаций Web of Science и Scopus.

Переход на новый уровень в организации конференции «Электроника и нанотехнологии» привел к значительному росту числа участников из европейских стран (Нидерландов, Англии, Германии, Чехии, Польши, Бельгии, Эстонии, Македонии, Франции). В то же время существенно сократилось число участников из России – сказалось и увеличение размера организационного взноса, и утверждение английского языка в качестве официального. Печальное свидетельство падения общего качественного уровня российской науки, ставшее следствием хронического недофинансирования.

В этом году программа конференции предполагала параллельную работу четырех больших секций «Нано- и микроэлектроника», «Биомедицинская электроника и обработка сигналов», «Силовая электроника и интеллектуальные электроэнергетические системы» и «Электронные системы», в рамках которых было заявлено 110 докладов. Примечательно, что в конференции «Электроника и нанотехнологии» приняли участие постоянные авторы тематических сборников САД (КЛИН) – О.А. Витязь, К.С. Горшков, В.В. Филаретов.

В работе О.А. Витязя [1] предложена новая методика анализа электрических схем с обратной связью, творчески развивающая классические идеи Боде и Миддлбрука, и связанная с использованием символьно-топологического подхода (метод сигнальных графов).

Доклад К.С. Горшкова и В.В. Филаретова [2] посвящен вопросам применения метода схемных определителей для анализа моделей активных электрических цепей на основе зеркальных аномальных элементов, которые подробно обсуждаются и на страницах текущего сборника.

По итогам Международной конференции «Электроника и нанотехнологии» был издан сборник трудов, материалы которого доступны через электронную библиотеку IEEE (http://ieeexplore.ieee.org/xpl/mostRecentIssue.jsp?punumber=6547265).

Литература

1. Vityaz O. Distributed feedback analysis // Proceedings of 2013 IEEE XXXIII International Scientific Conference on Electronics and Nanotechnology (ELNANO). – Kiev, 16-19 April, 2013. – С. 431–435.

2.Filaretov V., Gorshkov K. Topological analysis of active networks containing pathological mirror elements // Proceedings of 2013 IEEE XXXIII International Scientific Conference on Electronics and Nanotechnology (ELNANO). – Kiev, 16-19 April, 2013.– P. 460–464.